SK하이닉스 "16단 HBM3E, 12단과 '동등 수율' 확보" 작성일 11-05 168 목록 <div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> <strong class="summary_view" data-translation="true">어드밴스드 MR-MUF로 신뢰성 확보…향후에도 기술 고도화</strong> <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> <section dmcf-sid="Y8RXLI9Hz8"> <p dmcf-pid="GuKI8NFO74" dmcf-ptype="general">(지디넷코리아=장경윤 기자)SK하이닉스가 이달 공개한 16단 HBM3E(5세대 고대역폭메모리)의 신뢰성 확보를 자신했다. 회사의 테스트 결과 16단 HBM3E의 패키지 수율은 12단 HBM3E과 사실상 동등한 수준인 것으로 확인됐다.</p> <p dmcf-pid="HBfSxkUl0f" dmcf-ptype="general"><span>SK하이닉스는 여기에 그치지 않고, 16단 HBM3E 구현의 핵심인 '어드밴스드 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필)' 기술을 고도화할 계획이다. HBM4와 HBM4E, HBM5 등 차세대 제품의 16단 적층에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용하는 것은 물론, 20단 적층에서도 적용 가능성을 보기 위한 기술 개발도 지속한다.</span></p> <p dmcf-pid="XxitNS413V" dmcf-ptype="general"><span>5일 권종오 SK하이닉스 부사장은 5일 오후 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋 2024' 행사에서 16단 HBM 적층을 위한 본딩 기술을 소개했다.</span></p> <figure class="figure_frm origin_fig" dmcf-pid="Z4MHnOKG72" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img alt="권종오 SK하이닉스 부사장이 발표를 진행하는 모습(사진=장경윤 기자)" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202411/05/ZDNetKorea/20241105145146856svio.jpg" data-org-width="640" dmcf-mid="yDw9CFLKpP" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img3.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202411/05/ZDNetKorea/20241105145146856svio.jpg" width="658"></p> <figcaption class="txt_caption default_figure"> 권종오 SK하이닉스 부사장이 발표를 진행하는 모습(사진=장경윤 기자) </figcaption> </figure> <p dmcf-pid="5pBsfg1mz9" dmcf-ptype="general">HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)을 통해 연결한 차세대 메모리다. D램을 더 높이 쌓을수록 더 높은 용량과 성능 구현에 용이하다. 때문에 업계에서는 HBM의 세대 진화와 더불어 D램을 8단, 12단, 16단 등으로 더 높이 쌓는 방안을 강구해 왔다.</p> <p dmcf-pid="179C6j3I0K" dmcf-ptype="general"><span>특히 SK하이닉스는 이달 업계 최초의 16단 HBM3E(5세대 HBM)을 공개해 내년 초 샘플을 공급하겠다는 계획을 발표했다. 현재 상용화된 HBM의 최고 단수는 12단이다.</span></p> <p dmcf-pid="tmlQYqkPFb" dmcf-ptype="general"><span>SK하이닉스의 16단 HBM3E 개발의 핵심은 패키징이다. SK하이닉스는 이번 16단 HBM3E에 12단 HBM3E와 같은 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용했다. </span><span>MR-MUF는 HBM 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 공정이다.</span></p> <figure class="figure_frm origin_fig" dmcf-pid="FlYJ1Vsd3B" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img alt="SK하이닉스의 HBM3E 16단 수율 자료(사진=장경윤 기자)" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202411/05/ZDNetKorea/20241105145148161jgpr.jpg" data-org-width="638" dmcf-mid="WXfSxkUlu6" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img2.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202411/05/ZDNetKorea/20241105145148161jgpr.jpg" width="658"></p> <figcaption class="txt_caption default_figure"> SK하이닉스의 HBM3E 16단 수율 자료(사진=장경윤 기자) </figcaption> </figure> <p dmcf-pid="3MnFjv8tpq" dmcf-ptype="general"><span>해당 기술은 고적층으로 갈수록 칩이 휘어지는 워피지 현상이 발생할 수 있어, 12단 적층부터는 신뢰성 확보가 어렵다. 이에 SK하이닉스는 일차적으로 열을 가해 D램을 임시로 붙인 뒤, MR-MUF를 진행하는 어드밴스드 MR-MUF 기술을 고안해냈다.</span></p> <p dmcf-pid="0rhPWzc67z" dmcf-ptype="general"><span>권 부사장은 "HBM3E를 12단에서 16단으로 쌓으면서 D램 사이의 공간(갭-하이트)이 기존 대비 절반 수준으로 줄어드는 등의 난점이 있었다"며 "그러나 기술 개발을 통해 좁아진 갭-하이트를 비롯한 주요 문제의 신뢰성을 통과하는 등의 결과를 얻었다"고 설명했다.</span></p> <p dmcf-pid="plYJ1Vsd37" dmcf-ptype="general"><span>나아가 SK하이닉스는 어드밴스드 MR-MUF 기술을 지속 고도화해 차세대 HBM에도 적용할 계획이다.</span></p> <p dmcf-pid="UaEbO1iBzu" dmcf-ptype="general"><span>권 부사장은 "HBM4와 4E, HBM5에서도 16단 제품은 어드밴스드 MR-MUF를 계속 활용해야 한다고 보고 있다"며 "경쟁사가 HBM4E에서는 하이브리드 본딩을 적용할 것으로 전망되는데, 당사는 16단이나 20단에서 두 본딩 기술의 이점을 비교하고 적용 계획을 수립할 것"이라고 밝혔다.</span></p> <p dmcf-pid="uRL3AT6FFU" dmcf-ptype="general">장경윤 기자(jkyoon@zdnet.co.kr)</p> </section> </div> <p class="" data-translation="true">Copyright © 지디넷코리아. 무단전재 및 재배포 금지.</p> 관련자료 이전 방통위, TBS 정관변경 재신청도 반려…“의결 사안” 11-05 다음 [르포] "AI 시대 한눈에"…미래형 데이터센터부터 반도체, AI 에이전트까지 11-05 댓글 0 등록된 댓글이 없습니다. 로그인한 회원만 댓글 등록이 가능합니다.
