장태수 SK하이닉스 부사장, '1c D램' 개발 공로 대통령 표창 작성일 03-20 115 목록 <div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> <strong class="summary_view" data-translation="true">"고유전율 소재·새로운 구조 캐패시터 개발에 주력"</strong> <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> <section dmcf-sid="3SomlhwMa5"> <p contents-hash="610d92b58c3c3558709b542a4d320566d80af379b122ca0361c86243037e4116" dmcf-pid="0vgsSlrRoZ" dmcf-ptype="general">(지디넷코리아=장경윤 기자)SK하이닉스는 장태수 부사장이 지난 19일 서울 중구 대한상공회의소에서 열린 ‘제52회 상공의 날’ 기념 행사에서 대통령 표창을 받았다고 20일 밝혔다.</p> <p contents-hash="4d9079a6aaa787e6fbf29c325a4bb7b3b16c3cae0e3280c75a3917d5df63453c" dmcf-pid="pTaOvSmecX" dmcf-ptype="general">상공의 날은 산업 및 경제 발전을 이끈 상공업자의 노고를 기리고, 기업 경쟁력을 높이기 위해 제정된 기념일로, 매년 상공업 발전에 기여한 기업인·근로자·단체 등을 대상으로 시상식이 열린다.</p> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="978f99cab42c29ceaf6e219c1c406b99815540c1097bb9b187b19654b15377d1" dmcf-pid="UyNITvsdkH" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img alt="장태수 SK하이닉스 부사장(사진=SK하이닉스)" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202503/20/ZDNetKorea/20250320152931523labk.png" data-org-width="638" dmcf-mid="FiAhWyIia1" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img3.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202503/20/ZDNetKorea/20250320152931523labk.png" width="658"></p> <figcaption class="txt_caption default_figure"> 장태수 SK하이닉스 부사장(사진=SK하이닉스) </figcaption> </figure> <p contents-hash="89dbc6990282f436dd4dd52cb11afb57a57c12b12053712b105757554781bdae" dmcf-pid="uWjCyTOJgG" dmcf-ptype="general">이날 장 부사장은 세계 최초로 최단 기간 내 10나노(nm)급 6세대(1c) 미세공정 기술이 적용된 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발해 국내 반도체 산업 경쟁력을 높인 공로로 대통령 표창을 수상했다.</p> <p contents-hash="76f7364ab305ca4db87a7a8c38fc0abaecc2eebcd0ae2dc04ca4c65fb4d41b22" dmcf-pid="7YAhWyIiaY" dmcf-ptype="general"><span>장 부사장은 20년간 메모리 선행 기술 및 소자 연구에 매진한 전문가로, 44나노부터 10나노까지 10세대에 걸쳐 핵심 기술 개발에 참여했다.</span></p> <p contents-hash="7f29c68918f08195b83a3f96eddc114ad7fe106f355de72f2ced39c7ed1b6eeb" dmcf-pid="zGclYWCnaW" dmcf-ptype="general">특히 그는 기존 소자의 미세화 한계를 극복하기 위해 말 안장(Saddle) 모양의 FinFET인 Saddle-Fin 구조를 개발, D램 셀(Cell) 트랜지스터에 성공적으로 적용해 44나노 D램을 세계 최초로 양산하는 데 기여했다. 훗날 이 기술은 모든 D램 제조사로 확산되며 업계 표준으로 자리 잡았다.</p> <p contents-hash="4174444f9692ab9cc96891c457356a62aa1bb3700631e5ffa8fa035b3ff2125b" dmcf-pid="qHkSGYhLay" dmcf-ptype="general"><span>'1c D램 개발 TF'에서 소자 총괄 리더로 참여한 이후 장 부사장은 세계 최초로 최단 기간 내 1c DDR5 D램을 개발하는 성과를 냈다. 1c 공정 기술은 메모리 성능을 높이고 전력 소비를 줄이는 첨단 선행 기술로 HPC(고성능 컴퓨팅) 및 AI 성장의 필수 기술로 여겨진다.</span></p> <p contents-hash="32f04d9a26ec790103adf40f9889596d6aeae27ceb52a03e202a690076d125cb" dmcf-pid="BXEvHGlokT" dmcf-ptype="general">수상 소감을 묻는 최수현 앰버서더의 질문에 장 부사장은 "모두가 함께 이룬 성과"라며 구성원들에게 공을 돌렸다.</p> <p contents-hash="c3b5f59cfadde684d5b0847225385bd32777d0c2c3f96af33dacfa1a881913b4" dmcf-pid="bLbMniQ0ov" dmcf-ptype="general">그는 “선배님들이 다져놓은 튼튼한 뼈대 위에 구성원이 힘을 합쳐 이룬 성과입니다. 제가 모두를 대신해서 상을 받았다고 생각한다"며 "이번 수상을 위해 물심양면 지원해 주신 선후배 구성원과 가족들에게 감사 인사를 전한다"고 말했다.</p> <p contents-hash="3476042720b9f44d85401688a6dd71b608af697fb29a574b318cb4426f9b9521" dmcf-pid="KoKRLnxpaS" dmcf-ptype="general"><span>이번 성과가 의미 있는 이유를 방승현 앰버서더가 묻자 장 부사장은 “세계 최초, 최단 기간 내 개발을 통해 SK하이닉스가 가장 먼저 기술 주도권을 확보했기 때문”이라고 </span><span>설명했다.</span></p> <p contents-hash="4778ec90d5fe55b33986f8c9a4e0890032b6359a7a13ff0948485c9e93d35aca" dmcf-pid="9g9eoLMUAl" dmcf-ptype="general">그는 “메모리의 최소 회로 선폭을 먼저 개발했다는 것은 <span>초고속·저전력 제품을 선제적으로 고객들에게 공급하고, 프리미엄 시장에 빠르게 진입해 초기 수요를 선점한다는 점에서 의미가 있다"며 "</span><span>이번 1c DDR5 D램 개발로 SK하이닉스는 기술 리더십을 더욱 공고히 할 것”이라고 강조했다.</span></p> <p contents-hash="c4fea3ff6a094e7b66d2d00785ae1e732cd416066faa6c1e3e1a6d34372c9747" dmcf-pid="2a2dgoRuch" dmcf-ptype="general">아울러 장 부사장은 이번에 개발한 기술이 HBM 성능을 높이는 데에도 기여할 것으로 내다봤다.</p> <p contents-hash="773310b82530e67815a6d659d1111bb37c51efa8ff65c23394528b96dd8927c9" dmcf-pid="VNVJage7cC" dmcf-ptype="general">D램 셀 크기를 줄이면, 동일 규격의 실리콘 안에 더 많은 D램 셀을 배치할 수 있다. 이를 통해 규격이 정해진 HBM의 칩 크기 및 높이를 유지하면서 용량을 높일 수 있게 된다. <span>또한 셀 크기가 작아져 여유 공간이 생기므로 HBM 내부에 다양한 설계를 시도해 여러 기능을 추가할 수도 있다. </span></p> <p contents-hash="774e8d8a52223c440f804284c92703eda6e871abdde010ab4e3ffb62d11808a9" dmcf-pid="fjfiNadzjI" dmcf-ptype="general"><span>아울러 장 부사장은 미세공정 혁신에 더욱 속도를 내겠다는 포부도 밝혔다.</span></p> <p contents-hash="c68de6ab2ff7e455a04222b429a4ac7fe8d265b23be0f7ac5e0f8d2d3c99064b" dmcf-pid="4A4njNJqgO" dmcf-ptype="general">그는 “데이터 저장을 담당하는 캐패시터의 면적을 확보하기 위해 고유전율 소재 및 새로운 구조의 캐패시터 개발에 주력하고 있다"며 "또한 데이터 입출력을 담당하는 셀 트랜지스터의 누설 전류를 최소화하고자 구조 혁신에도 힘쓰는 중"이라고 설명했다. </p> <p contents-hash="f6718f3afe8b7f2bebaeee0e8a62d1455aac86c04f3b99aebbddb43e9ba22a6d" dmcf-pid="8c8LAjiBAs" dmcf-ptype="general">장경윤 기자(jkyoon@zdnet.co.kr)</p> </section> </div> <p class="" data-translation="true">Copyright © 지디넷코리아. 무단전재 및 재배포 금지.</p> 관련자료 이전 "지금은 장원영 시대"..금융권·매거진 커버·브랜드평판 싹쓸이 03-20 다음 KAIST 학생들 “한국형 스타이펜드는 과기원 역차별” 03-20 댓글 0 등록된 댓글이 없습니다. 로그인한 회원만 댓글 등록이 가능합니다.
