美 마이크론, HBM용 '플럭스리스 본딩' 도입 준비…TC본더 업계 격돌 예고 작성일 04-16 171 목록 <div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> <strong class="summary_view" data-translation="true">삼성 이어 차세대 HBM에 적용 검토…한미반도체, AMSPT, K&S 등 물망</strong> <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> <section dmcf-sid="xyANHlWAkt"> <p contents-hash="5abcd63085d7432988b6aab89248ba491929343f7978f94d5e0604c4bdb03df8" dmcf-pid="yxU0d8MUk1" dmcf-ptype="general">(지디넷코리아=장경윤 기자)미국 메모리업체 마이크론이 차세대 HBM(고대역폭메모리) 본딩 기술인 '플럭스리스'(Fluxless) 도입을 검토 중이다. 해당 기술은 주요 경쟁사인 삼성전자도 올 1분기부터 평가에 들어간 기술이다. 국내 및 해외 주요 본더들과 두루 평가를 거칠 예정으로, 본더 기업 간 치열한 수주전이 펼쳐질 것으로 전망된다.</p> <p contents-hash="fc0c1ad31d9d9b0a128c06c64ce681a3dc9aa387da175904002aac1005e2699a" dmcf-pid="WMupJ6Ruk5" dmcf-ptype="general"><span>16일 업계에 따르면 마이크론은 올 2분기부터 주요 후공정 장비업체와 플럭스리스 장비에 대한 품질(퀄) 테스트에 돌입한다.</span></p> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="e03da7d5f88ece3495bb7aaf1883abba19f93cd3c987070ba7bac1d823868e03" dmcf-pid="YR7UiPe7cZ" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img alt="마이크론의 HBM3E 제품 이미지(사진=마이크론)" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202504/16/ZDNetKorea/20250416135031091njsc.jpg" data-org-width="640" dmcf-mid="VcsRXSYcal" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img3.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202504/16/ZDNetKorea/20250416135031091njsc.jpg" width="658"></p> <figcaption class="txt_caption default_figure"> 마이크론의 HBM3E 제품 이미지(사진=마이크론) </figcaption> </figure> <p contents-hash="be6bca4edb83ac804a3ed715f80ce7c86201530e8285c4833da9838202102620" dmcf-pid="GezunQdzcX" dmcf-ptype="general">현재 마이크론은 HBM 제조에 NCF(비전도성 접착 필름) 공법을 활용하고 있다. 이 공법은 각 D램을 쌓을 때마다 NCF라는 물질을 넣은 뒤, TC 본더로 열압착을 가해 연결한다. NCF가 열에 의해 녹으면서 D램 사이의 범프와 범프를 이어주고, 칩 전체를 고정해주는 원리다.</p> <p contents-hash="c83fddcf3faa2d5be0481912f7991e7856160707f9c9249f6ae28ef28e4a4621" dmcf-pid="Hdq7LxJqcH" dmcf-ptype="general"><span>그러나 마이크론이 내년부터 양산할 예정인 HBM4(6세대)에서는 플럭스리스 본딩을 적용할 가능성이 높아지고 있다. 올 2~3분기께 플럭스리스 본더를 도입해, 퀄 테스트에 들어갈 것으로 파악됐다.</span></p> <p contents-hash="6bb6f48a5049b70175e256a3171bc3836b880b06df23321c22160d54a42ecb4c" dmcf-pid="XJBzoMiBNG" dmcf-ptype="general"><span>해당 테스트에는 세계 각국의 주요 본더 업체들이 참여할 계획이다. 국내 한미반도체를 비롯해 미국과 싱가포르에 본사를 둔 쿨리케앤소파(K&S), 싱가포르에 본사를 둔 ASMPT 등이 대응에 나선 것으로 알려졌다.</span></p> <p contents-hash="3d1339e29368cff28226b23ef8d9cf95562e5aaa95861dae5ef8c362781c3efb" dmcf-pid="ZibqgRnbkY" dmcf-ptype="general"><span>반도체 업계 관계자는 "마이크론은 최대한 다양한 공급망을 염두에 두는 기업으로, 이번 플럭스리스 본더도 각 협력사별로 순차적인 테스트가 진행될 예정"이라며 "NCF 기술이 HBM4에서 여러 기술적인 한계에 부딪히고 있어 교체 수요가 있는 것으로 안다"고 설명했다.</span></p> <p contents-hash="b2dd17ffb14cef00428dffc99a4e580e2e75963363cdbde971771d0431f33889" dmcf-pid="5nKBaeLKNW" dmcf-ptype="general"><span>또 다른 관계자는 "HBM 적층 수가 12단으로 증가하게 되면, NCF를 D램 사이의 좁은 틈으로 완벽히 도포할 수 없거나 압착 시 NCF 소재가 D램 가장자리로 삐져나오는 등의 과제가 발생하게 된다"며 "HBM4, HBM4E 등에서 플럭스리스가 유력한 대안으로 떠오른 이유"라고 말했다.</span></p> <p contents-hash="c9b7aeaf2258bfb0bca1599e406985ddd37f5f549521608e632f68bfbc202ec1" dmcf-pid="1L9bNdo9cy" dmcf-ptype="general"><span>현재 플럭스리스는 MR-MUF(매스리플로우-몰디드언더필) 공법 중 가장 진보된 기술이다.</span></p> <p contents-hash="a00acbe22966aed09b950ac5993e9c246dd38d033519def298a67f62b19d8b48" dmcf-pid="tj8fEoA8oT" dmcf-ptype="general"><span>MR-MUF는 </span><span>각 D램을 임시 접합한 뒤, D램이 모두 적층된 상태에서 열을 가해(리플로우) 완전히 접합하는 방식을 뜻한다. 이후 필름이 아닌 액체 형태의 </span><span>'EMC(에폭시 고분자와 무기 실리카를 혼합한 몰딩 소재)'를 활용해 D램 사이를 채워준다.</span></p> <p contents-hash="22e5ca57513a269956f44a439745e859ce3733924a044d5f23473566dd22ccb2" dmcf-pid="FA64Dgc6cv" dmcf-ptype="general"><span>기존 MR-MUF는 각 D램을 접합할 때 플럭스라는 물질을 사용한 뒤 씻어내는 과정을 거쳤다. D램 사이의 범프에 묻을 수 있는 산화막을 제거하기 위해서다.</span></p> <p contents-hash="1effe42459be5af4733f8ae1a6d3b03cbf0b52b54db55f42e0e2f5c30e3827a6" dmcf-pid="3cP8wakPkS" dmcf-ptype="general"><span>그러나 HBM의 입출력단자(I/O) 수가 HBM4에서 이전 대비 2배인 2024개로 늘어나고, D램의 적층 수가 많아지면 범프 사이의 간격도 줄어들게 된다. 이 경우 플럭스가 제대로 세정되지 않아 칩 신뢰성에 손상이 갈 수 있다.</span></p> <p contents-hash="dc3d8edb20f5b9c10d8df520a3899f094670f382f9c687b6108e35f4ecac27d9" dmcf-pid="0kQ6rNEQal" dmcf-ptype="general"><span>이에 반도체 업계는 플럭스를 쓰지 않고 범프의 산화막을 제거하는 플럭스리스 본더를 개발해 왔다. 장비 업체에 따라 플라즈마, 포름산 등 다양한 공법을 활용하고 있다.</span></p> <p contents-hash="b5dc9448ab252173fb71df298436e9e2720e72b65a50e221cf0e3a10e3e03d9a" dmcf-pid="pExPmjDxNh" dmcf-ptype="general"><span>삼성전자 역시 지난 1분기 해외 주요 장비기업들과 플럭스리스 본딩에 대한 테스트에 들어갔다. 마이크론과 마찬가지로 HBM4 적용이 목표인데, 이르면 올 연말까지 평가를 마무리할 예정이다</span><span>. 다만 삼성전자는 기존 NCF와 차세대 본딩 기술인 '하이브리드 본딩' 등 다각적인 방안을 모두 검토 중인 것으로 알려졌다.</span></p> <p contents-hash="5068a9db14563007822e2c1d51a319d48c99a044a283096508d667f13c57daf2" dmcf-pid="UDMQsAwMcC" dmcf-ptype="general"><span> </span></p> <p contents-hash="f6718f3afe8b7f2bebaeee0e8a62d1455aac86c04f3b99aebbddb43e9ba22a6d" dmcf-pid="uwRxOcrRoI" dmcf-ptype="general">장경윤 기자(jkyoon@zdnet.co.kr)</p> </section> </div> <p class="" data-translation="true">Copyright © 지디넷코리아. 무단전재 및 재배포 금지.</p> 관련자료 이전 표준연, '한국형 스타링크' 성능 보장할 전자파 측정표준 확립 04-16 다음 업스테이지 "데이터 학습서 역차별…창작자 보상으로 풀어야"(종합) 04-16 댓글 0 등록된 댓글이 없습니다. 로그인한 회원만 댓글 등록이 가능합니다.
