삼성전자, HBM3E 12단 라인 가동률 축소…엔비디아 공급 논의 길어지나

작성일 07-02

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> 웨이퍼 투입 물량 줄여...내년 HBM4 상반기 본격화에 HBM3E 보수적 접근 
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 (지디넷코리아=장경윤 기자)삼성전자가 지난 2분기 말께 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 12단 생산량을 줄인 것으로 파악됐다. 당초 삼성전자는 올해 중반 엔비디아에 해당 제품을 공급하려고 했으나 논의가 길어지면서 하반기 수요에 대한 불확실성이 높아졌다. 이에 재고가 급증하는 위험을 줄이고자 보수적인 운영 기조로 돌아선 것으로 풀이된다.
 2일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 HBM3E 12단 양산라인의 가동률을 기존 대비 절반 수준으로 줄인 것으로 파악됐다.
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 삼성전자 평택캠퍼스 조감도(사진=삼성전자)
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 HBM3E 12단은 현재 상용화된 HBM 중에서 가장 최선단에 해당하는 제품이다. 삼성전자의 경우, 평택에 위치한 P1, P3 라인에서 HBM3E 12단을 양산해 왔다.
 특히 삼성전자는 지난 1분기 말부터 HBM3E 12단 생산량을 크게 늘린 바 있다. 엔비디아와의 퀄(품질) 테스트 일정이 6월경 마무리될 것이라는 전망 하에, 재고를 선제적으로 확보하기 위한 전략이었다. MI325X, MI350X 등 AMD의 최신형 AI 가속기향 HBM3E 12단 공급도 영향을 끼쳤다.
 이에 따른 삼성전자의 올 2분기 HBM3E 12단 생산량은 평균 월 7~8만장 규모로 추산된다. 그러나 삼성전자는 2분기 말 웨이퍼 투입량을 급격히 줄여, 현재 월 3~4만장 수준의 생산량을 기록하고 있는 것으로 파악됐다.
 주요 원인은 엔비디아향 HBM3E 12단 공급의 불확실성이 높아진 탓으로 분석된다. 당초 삼성전자는 6월을 목표로 테스트를 진행해 왔으나, 최근에는 최소 9월 테스트가 마무리 될 것이라는 전망이 우세해졌다. 여전히 발열 문제가 거론되고 있다는 게 업계 전언이다.
 사안에 정통한 관계자는 "엔비디아향 공급이 지연되는 상황에서 HBM3E 12단 재고가 급격히 증가할 경우 삼성전자의 재무에 부담이 될 수 있다"며 "내년 상반기부터 HBM4 시장이 본격화될 것으로 예상되는 만큼, 삼성전자 입장에서도 보수적인 생산기조를 유지하려 할 것"이라고 밝혔다.
 결과적으로 삼성전자 HBM 사업의 반등은 비(非) 엔비디아 진형의 ASIC(주문형반도체) 수요 확대에 좌우될 것으로 관측된다. 현재 구글, 메타, AWS(아마존웹서비스) 등 글로벌 빅테크들은 데이터센터를 위한 자체 AI 반도체 개발에 집중하고 있다. 해당 칩에도 HBM이 대거 탑재된다.
 HBM4(6세대 고대역폭메모리)의 적기 상용화 역시 주요 과제다. 현재 삼성전자는 HBM4의 코어 다이인 1c(6세대 10나노급) D램 개발에 주력하고 있으며, 일부 회로를 개조해 안정성을 끌어올리는 작업 등을 진행했다. HBM을 위한 1c D램은 올 3분기 PRA(내부 양산 승인)이 이뤄질 전망이다.
 장경윤 기자(jkyoon@zdnet.co.kr)
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