서울대 황철성 교수 ‘대한민국최고과학기술인상’…메모리 소자 개척

작성일 07-03

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        <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> 
         <section dmcf-sid="F2kkKoKGLf">
          <p contents-hash="b610c952bff94c2816ac3e2c6df753a8045dc5de172c330e50f96943978dd595" dmcf-pid="3VEE9g9HnV" dmcf-ptype="general">올해 ‘대한민국최고과학기술인상’ 수상자로 황철성(사진) 서울대 석좌교수를 선정했다고 과학기술정보통신부와 한국과학기술단체총연합회(과총)가 3일 밝혔다.</p>
          <p contents-hash="d7f629282b700d591bf9e626341e591e2edaaa0e5c56ce6f4c161802c6d34959" dmcf-pid="0fDD2a2Xn2" dmcf-ptype="general">대한민국최고과학기술인상은 한국을 대표하는 연구성과를 이룬 과학기술인을 발굴해 알리고 명예와 자긍심을 높이기 위해 2003년부터 시상해 온 국내 최고 권위의 과학기술인상이다. 수상자는 연구개발 업적뿐 아니라 경제발전 기여도, 국민 생활 향상에 미친 영향 등을 종합 평가해 선정한다.</p>
          <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="6779c7b826b00181eb4440b6634c6396495efa3a91228db32ac5a02672c65003" dmcf-pid="p4wwVNVZe9" dmcf-ptype="figure">
           <p class="link_figure"><img class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202507/03/segye/20250703144334162jser.jpg" data-org-width="1200" dmcf-mid="1zWWiCiBJ8" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img4.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202507/03/segye/20250703144334162jser.jpg" width="658"></p>
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          <div contents-hash="295d638025270f0d2f01b71cf7e130bf0fcff868fe693a5c1e60edf47c408bd2" dmcf-pid="U8rrfjf5eK" dmcf-ptype="general">
            황 교수는 기존 D램(DRAM), 낸드플래시 등 메모리 반도체 분야를 뛰어넘는 새로운 소자와 물질 발견에 크게 기여했다. 특히 저항 스위칭 재료 및 소자 분야의 선구적 업적으로 국가 반도체 산업 발전에 기여한 공로를 인정받았다. 황 교수가 동료 교수들과 발표한 저항 변화 메모리 소자의 전환 메커니즘 연구는 2010년 네이처 나노테크놀로지에 게재된 후 현재까지 2450회 이상 인용되며, 저항 변화 메모리 반도체 분야에서 인용 빈도수 상위 다섯 번째 논문에 올랐다. 
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          <p contents-hash="762fd3cec525b126eec2e8ec552e34c24efb2c8d61eaed9fb1173b52a23874a5" dmcf-pid="u6mm4A41Jb" dmcf-ptype="general">황 교수는 SCI(과학기술논문 인용색인) 논문 750편을 발표하고, 국내외 특허 227건(142건 출원, 85건 등록)과 기술 이전 16건 등 지속적인 산·학 협력 등을 통해 반도체 산업 발전에 공헌했다. 최근에는 인간의 뇌처럼 작동하는 뉴로모픽 반도체 개발 연구에 힘쓰고 있다. </p>
          <p contents-hash="cc1448c4f9efac5eb84a7ccef1471b2b8b8526c72429f1ad773a6312d9773955" dmcf-pid="7Pss8c8tMB" dmcf-ptype="general">황 교수는 메모리 반도체 분야에서 최근 주목할 변화에 대해 “V(수직) 낸드플래시와 같이 D램도 3차원 적층 소자가 곧 개발돼 반도체가 이제 평면상의 집적도 경쟁이 아닌 부피에 대한 집적도 경쟁으로 바뀔 것”이라며 “이 부분은 이제 연구가 시작되는 단계라 저희 연구가 앞으로 기여할 바가 많을 것으로 기대한다”고 밝혔다. 황 교수는 향후 10년간 일어날 반도체 관련 변화로는 “현재 인공지능(AI) 시스템의 과도한 전력 사용을 개선할 수 있는 연구가 반도체에서는 매우 중요하다”며 “기존의 그래픽처리장치·고대역폭메모리(GPU+HBM)의 성능 개선과 더불어 프로세싱 인 메모리(PIM)과 같은 새로운 반도체 칩의 개발, 그리고 인간의 뇌와 비슷한 방식으로 동작하는 뉴로모픽 반도체의 개발 등에서 해답을 찾아야 할 것으로 보인다”고 설명했다.</p>
          <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="a2931763d168276edc03c793a2e40a0099cfacd9593a1c30f5ef61d24909524b" dmcf-pid="zH66YKYceq" dmcf-ptype="figure">
           <p class="link_figure"><img class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202507/03/segye/20250703144334370fiad.jpg" data-org-width="600" dmcf-mid="tLmm4A41i4" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img2.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202507/03/segye/20250703144334370fiad.jpg" width="658"></p>
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          <div contents-hash="7b24fc92a8e560707cb033db994561bd8298bc336f2b22b6372cc7b3bc5d4f32" dmcf-pid="qXPPG9Gknz" dmcf-ptype="general">
            서울대 무기재료공학과에서 학·석·박사를 마친 황 교수는 삼성전자 반도체연구소에서 선임연구원으로 근무한 뒤 1998년부터 모교 재료공학부 교수로 재직해 왔다.
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          <p contents-hash="b1a0af63d7df52c285642bf97c00b46d0655f7b5cf746f23b14432d9cb6259ba" dmcf-pid="BZQQH2HEL7" dmcf-ptype="general">황 교수는 9일 서울 강남구 한국과학기술회관에서 열리는 ‘제3회 세계 한인 과학기술인대회’ 개회식에서 대통령상과 상금 3억원을 받는다.</p>
          <p contents-hash="204952a00d72eb7bf68ceebc9adb5547feb456b4aaab5e9d413a256e851e0a25" dmcf-pid="b5xxXVXDRu" dmcf-ptype="general">송은아 기자 sea@segye.com</p>
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        <p class="" data-translation="true">Copyright © 세계일보. 무단전재 및 재배포 금지.</p>

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