램리서치 “기술 난도 높아진 차세대 HBM, 첨단 패키징이 해결 열쇠” 작성일 11-14 42 목록 <div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> <strong class="summary_view" data-translation="true">‘어드밴스드 패키징’ 기자간담회 개최<br>“HBM 적층 구조 복잡화, 기술적 난제”<br>증착 장비 ‘벡터 테오스 3D’로 “웨이퍼 변형 잡고 효율↑”</strong> <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> <section dmcf-sid="1tfXe4ztaF"> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="32745b095a641db810867f230d8fb2e80e1dfde7eb43a9d3dbb46f9375e0959b" dmcf-pid="tF4Zd8qFkt" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img alt="오드리 찰스 램리서치 기업 전략 및 어드밴스드 패키징 부문 수석 부사장이 14일 서울 강남구 웨스틴 파르나스 호텔에서 열린 ‘어드밴스드 패키징’ 기자간담회에서 발표하고 있다./정두용 기자" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202511/14/chosunbiz/20251114161543182njzm.jpg" data-org-width="3985" dmcf-mid="HoVtJ6B3gU" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img1.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202511/14/chosunbiz/20251114161543182njzm.jpg" width="658"></p> <figcaption class="txt_caption default_figure"> 오드리 찰스 램리서치 기업 전략 및 어드밴스드 패키징 부문 수석 부사장이 14일 서울 강남구 웨스틴 파르나스 호텔에서 열린 ‘어드밴스드 패키징’ 기자간담회에서 발표하고 있다./정두용 기자 </figcaption> </figure> <p contents-hash="2cea7d39204a3672ca8836c693fa83fc77829946b43d0d0605dc1a08a25e607c" dmcf-pid="F385J6B3o1" dmcf-ptype="general">세계 최대 반도체 장비회사 중 하나로 꼽히는 램리서치가 14일 서울 강남구 웨스틴 파르나스 호텔에서 ‘어드밴스드 패키징’ 기자간담회를 열고 “고대역폭메모리(HBM) 구조가 복잡해지면서 발생하는 여러 기술적 난제를 해결할 것”이라고 자신했다.</p> <p contents-hash="3bccde5bfdd70f968bac304cb4fdcc65148ef8e1450e25be9f40148fb79ab808" dmcf-pid="3061iPb0N5" dmcf-ptype="general">고성능 인공지능(AI) 서비스를 구현하려면 대규모 병렬 데이터를 빠른 시간에 처리해야 한다. 이 과정에서 메모리 처리 속도가 더욱 중요해졌다. AI 연산에 요구되는 데이터양이 많아지면서, 프로세서가 작업을 빨리 끝내도 메모리에서 정체돼 전체 칩 성능 개선이 더뎌지는 ‘메모리 월’(Memory Wall·병목 현상)이 발생했기 때문이다.</p> <p contents-hash="44af827da61c83f9d7b75bf96634848978d6e6e70a30263355dfabe723297c0b" dmcf-pid="0pPtnQKpjZ" dmcf-ptype="general">여러 개의 D램을 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고대역폭메모리(HBM)가 부상한 이유다. HBM은 AI용 그래픽처리장치(GPU)에 탑재됐고, 현재는 AI 서비스 개발에 필수 부품으로 자리 잡았다.</p> <p contents-hash="e0370963b367dc56eb4fa51402fac310a47e0411acc80c99ea24563c6d7d48a1" dmcf-pid="pUQFLx9UaX" dmcf-ptype="general">램리서치는 메모리 월 현상을 극복하며 AI 구현에 혁신적인 역할을 하는 HBM이 최근 새로운 기술적 난제를 마주하고 있다고 봤다. AI가 추론 영역으로 발전하면서 많은 데이터를 더 빠른 속도로 처리할 필요가 높아졌고, 이에 따라 HBM에 더 높은 집적도·복잡성이 요구하고 있기 때문이다.</p> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="2fb52163e89221bc127075adfa18f359f0b81e3a5ce2ab386f6d22bffec334a0" dmcf-pid="Uux3oM2ujH" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img alt="치핑 리 램리서치 글로벌 어드밴스드 패키징 기술 총괄이 14일 서울 강남구 웨스틴 파르나스 호텔에서 열린 ‘어드밴스드 패키징’ 기자간담회에서 발표하고 있다./램리서치코리아" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202511/14/chosunbiz/20251114161544587axhm.jpg" data-org-width="3000" dmcf-mid="XaeBcnPKjp" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img4.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202511/14/chosunbiz/20251114161544587axhm.jpg" width="658"></p> <figcaption class="txt_caption default_figure"> 치핑 리 램리서치 글로벌 어드밴스드 패키징 기술 총괄이 14일 서울 강남구 웨스틴 파르나스 호텔에서 열린 ‘어드밴스드 패키징’ 기자간담회에서 발표하고 있다./램리서치코리아 </figcaption> </figure> <p contents-hash="940040cacb0c83c2221ba7982195099e8017820a779251295fd17518c95c3433" dmcf-pid="u7M0gRV7jG" dmcf-ptype="general">램리서치는 HBM 성능이 높아질수록 ‘3차원 다이 적층’(3D Die Stacking·여러 개의 개별 반도체 칩을 수직으로 쌓아 올려 연결하는 기술)과 ‘고밀도 이종 집적’(High-Density Heterogeneous Integration·다른 공정으로 제작된 반도체 소자·요소들을 단일 패키지 내에 고밀도로 집적하는 패키징 기술)에 요구되는 기술 난이도가 높아지고 있다고 했다.</p> <p contents-hash="c4ea83e43dd651802de5f5048e11bcd78981d51d249c659e7cfc1013f7d9846f" dmcf-pid="7zRpaefzjY" dmcf-ptype="general">치핑 리 램리서치 글로벌 어드밴스드 패키징 기술 총괄은 이날 간담회에서 “적층 높이와 복잡성이 증가하면서 공정 중 발생하는 스트레스가 높아저 웨이퍼가 휘거나 변형되는 문제가 발생한다”며 “필름 내 균열(크랙)과 공극(Void)으로 인한 결함 및 수율 저하 등 다양한 문제도 나타나는 중”이라고 설명했다. 그러면서 “이런 문제들은 ‘신호 경로 최적화’나 ‘처리 속도 향상’은 물론 ‘폼팩터의 소형화’ 등의 구현을 어렵게 만드는 요소”라고 했다.</p> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="ebc27311f712de0e6e0130031321dbcb5bfbe83f54530d233d0819363df719eb" dmcf-pid="zqeUNd4qgW" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img alt="램리서치 증착 장비 ‘벡터 테오스 3D’(VECTOR TEOS 3D) 제품 이미지./램리서치" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202511/14/chosunbiz/20251114161545968siso.jpg" data-org-width="1920" dmcf-mid="ZFlN1ysAo0" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img1.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202511/14/chosunbiz/20251114161545968siso.jpg" width="658"></p> <figcaption class="txt_caption default_figure"> 램리서치 증착 장비 ‘벡터 테오스 3D’(VECTOR TEOS 3D) 제품 이미지./램리서치 </figcaption> </figure> <p contents-hash="1a4ff0ce9b4c51a64e7160ef85de402728a8b75d7ebc777e13f5abf5b7472443" dmcf-pid="qATg1ysANy" dmcf-ptype="general"><strong>◇ ‘벡터 테오스 3D’ 출시… “1년 전부터 메모리 분야 양산서 사용”</strong></p> <p contents-hash="1a2a386df00687db75a0ce69e116c15b2f83c219064ddeb7b930cd05164da60c" dmcf-pid="BcyatWOcgT" dmcf-ptype="general">램리서치는 HBM 분야에서 새롭게 부상한 기술적 난제를 ‘패키징 기술’(반도체 칩을 외부 환경으로부터 보호하고 기판과 전기적으로 연결해 신호를 주고받을 수 있게 하는 후공정)로 해결할 수 있다고 자신했다. 회사는 이날 이런 문제를 해결할 장비로 지난 9월 출시한 증착 장비 ‘벡터 테오스 3D’(VECTOR TEOS 3D)를 소개했다. 이 장비는 현재 시스템반도체 생산 영역에서 공극을 줄이려 주로 사용되고 있지만, 회사는 메모리 기업에도 공급을 늘릴 계획이다.</p> <p contents-hash="f0ee0a5c81ab51f762f82f12bc3d0d5dda355634865d5697f2531848dfb7cdea" dmcf-pid="bkWNFYIkNv" dmcf-ptype="general">오드리 찰스 램리서치 기업 전략 및 어드밴스드 패키징 부문 수석 부사장은 공급 규모나 고객사 이름 등은 구체적으로 언급하지 않았지만 “로직·메모리 분야에서 1년 이상 양산에 적용된 상태”라고 말했다. 박준홍 램리서치코리아 대표도 “HBM 시장에선 하이브리드 본딩(범프 없이 금속과 절연체를 동시에 직접 접합하는 방식으로 칩과 칩을 연결하는 반도체 패키징 기술)이 적용되는 시점에 장비 활용도가 늘어날 것으로 보고 기회를 살피고 있다”고 말했다. 삼성전자·SK하이닉스 등 HBM 제조사에 해당 장비를 공급하고 있다는 점을 간접적으로 밝힌 셈이다.</p> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="392ebbfbdc52fdad16bbf3aa7e01825e75ea940851e7e8ff202c78b3e2d140f8" dmcf-pid="KEYj3GCEcS" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img alt="박준홍 램리서치코리아 대표가 14일 서울 강남구 웨스틴 파르나스 호텔에서 열린 ‘어드밴스드 패키징’ 기자간담회에서 발표하고 있다./램리서치코리아" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202511/14/chosunbiz/20251114161547323rvwz.jpg" data-org-width="3000" dmcf-mid="5w0OKpHlN3" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img1.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202511/14/chosunbiz/20251114161547323rvwz.jpg" width="658"></p> <figcaption class="txt_caption default_figure"> 박준홍 램리서치코리아 대표가 14일 서울 강남구 웨스틴 파르나스 호텔에서 열린 ‘어드밴스드 패키징’ 기자간담회에서 발표하고 있다./램리서치코리아 </figcaption> </figure> <p contents-hash="c4d1ce54fc25f19b42be4ae64d078ae24b809773b048c1ade864bb4593f19881" dmcf-pid="9DGA0HhDal" dmcf-ptype="general">벡터 테오스 3D는 두껍거나 휜 웨이퍼에도 안정적으로 패키징을 할 수 있도록 설계됐다. 다이 사이에 최대 60μm(마이크로미터) 두께의 특수 유전체 필름을 증착, 구조적·열적·기계적 지지대 역할을 할 수 있도록 한다. HMB은 다이 사이에 절연 필름을 30μm 이상 두께로 깔아야 한다. 찰스 부사장은 “업계 최초의 단일 공정을 통해 30μm 이상의 두꺼운 필름을 결함 없이 구현한다”고 말했다.</p> <p contents-hash="7893dbed05566f2bc52fc266ce404988fede55f492583d80b1ebfaa1c6939165" dmcf-pid="2wHcpXlwjh" dmcf-ptype="general">생산성도 향상됐다. 램리서치에 따르면 이 장비는 이전 세대 대비 70% 이상 빠른 처리 속도를 제공하고 최대 20%의 비용을 절감할 수 있다. 치핑 리 기술 총괄은 “첨단 패키징 분야에서 15년의 기술 리더십을 집약해 만든 장비”라며 “후공정 장비 분야에서도 기술 리더십을 이어갈 것”이라고 말했다. 박 대표도 “램리서치는 식각(화학적 부식 작용으로 반도체 회로 패턴을 만드는 반도체 전공정) 분야의 강자로 알려져 있으나, 수십 년간 증착과 각막 분야 장비 기술 리더십을 바탕으로 첨단 패키징 반도체 제조 공정 혁신을 이끌어왔다”고 말했다.</p> <p contents-hash="0f672d48e820183361313dc5968029d7e968e0609ca10c39f2d1e70c652b8557" dmcf-pid="VrXkUZSrkC" dmcf-ptype="general">- Copyright ⓒ 조선비즈 & Chosun.com -</p> </section> </div> <p class="" data-translation="true">Copyright © 조선비즈. 무단전재 및 재배포 금지.</p> 관련자료 이전 "중국 해커, AI 활용해 대규모 해킹"…대응 나선 앤스로픽 [팩플] 11-14 다음 “AI끼리 싸우고 죽인다…지루할 틈이 없네” 엔씨 신작 ‘신더시티’ 해보니 11-14 댓글 0 등록된 댓글이 없습니다. 로그인한 회원만 댓글 등록이 가능합니다.
