ETRI, 캐퍼시터없는 ‘차세대 DRAM’ 구조 구현 성공 작성일 04-14 41 목록 <div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> <strong class="summary_view" data-translation="true">- 데이터 1000초 유지, 메모리 윈도우 13배 향상</strong> <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> <section dmcf-sid="t2gV0zwa5W"> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="9dcb59d80ad7bbc04424f5a475275fbe83cb2c768564bee130b1b2bcde7cf625" dmcf-pid="FVafpqrNYy" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img alt="ETRI 연구진이 산화물 반도체를 증착하고 있다.[ETRI 제공]" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202604/14/ned/20260414085703703ucnd.jpg" data-org-width="1280" dmcf-mid="5S7TDOfzXG" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img4.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202604/14/ned/20260414085703703ucnd.jpg" width="658"></p> <figcaption class="txt_caption default_figure"> ETRI 연구진이 산화물 반도체를 증착하고 있다.[ETRI 제공] </figcaption> </figure> <p contents-hash="16bac90d2bee8bb9db54bdd301b891730a95b7fb0df040da4312facf9b4d9d84" dmcf-pid="3fN4UBmjGT" dmcf-ptype="general">[헤럴드경제=구본혁 기자] 국내 연구진이 복잡한 구조를 가진 기존 메모리의 한계를 극복, 별도의 캐패시터(Capacitor) 없이도 데이터를 안정적으로 저장할 수 있는 혁신적인 차세대 메모리(DRAM) 구조를 구현했다.</p> <p contents-hash="9a75524adcf75ee71ae272464b6661bbdb2c04dbc75696b65230de17ada1cc51" dmcf-pid="04j8ubsAGv" dmcf-ptype="general">한국전자통신연구원(ETRI)은 디스플레이 산업에서 활용되는 산화물 반도체 트랜지스터(TFT)를 적용해 캐패시터 없이 데이터를 저장하는 ‘2T0C(2-Transistor-0-Capacitor)’ DRAM 구조를 개발했다고 밝혔다.</p> <p contents-hash="ed18589acb5726618f4419b2dd207f5894b08cb53b91c542afee4e6bf0c6923d" dmcf-pid="p8A67KOcXS" dmcf-ptype="general">이 기술은 ‘캐패시터리스 DRAM’이라 불리는 차세대 메모리 방식으로, AI와 데이터 중심 컴퓨팅 시대가 본격화되면서 더욱 중요해지고 있는 메모리 기술의 새로운 방향을 제시한 것으로 평가된다.</p> <p contents-hash="c4e25d6ec780ad3313ab96a71a51e1af22aa510080e95d8b6013cbdcc10eb004" dmcf-pid="U6cPz9IkXl" dmcf-ptype="general">현재 상용되는 대부분의 DRAM은 1T1C 구조로, 트랜지스터 1개와 캐패시터 1개가 함께 작동해 데이터를 저장한다.</p> <p contents-hash="afa45f1362e091ea650e9cf4812d4400dbe13b491db72b53a5c00bb124cb91bd" dmcf-pid="uqJB50AiGh" dmcf-ptype="general">이때 캐패시터는 전기를 저장하는 작은 저장 공간 역할을 한다.</p> <p contents-hash="7ed5e2a9fb96b614313f685fffa5a4247155aff92b1d1359655ccc83511660b4" dmcf-pid="7Bib1pcntC" dmcf-ptype="general">하지만 반도체가 점점 작아질수록 이 캐패시터를 만드는 것이 점점 어려워지고, 제조 과정이 복잡해지며 전력 소모도 커지는 문제가 있다.</p> <p contents-hash="50b7c86e846158e8e4ff2fe245796734de4033a18a96c77e69b8146381f877d3" dmcf-pid="zbnKtUkLtI" dmcf-ptype="general">때문에 캐패시터를 없앤 새로운 메모리 구조가 필요했지만, 기존 연구에서는 데이터를 오래 유지하기 어렵거나 안정성이 떨어지는 문제가 있었다.</p> <p contents-hash="df6f3d89c76c68f9d06fd467019ac33ed668d03e38ca41f2cf7c5140e29f1ff6" dmcf-pid="qKL9FuEoGO" dmcf-ptype="general">연구진은 이러한 문제를 해결하기 위해 ‘산화물 반도체’에 주목했다. 산화물 반도체는 전기가 새어 나가는 양인 누설 전류가 적고, 전하를 안정적으로 유지할 수 있어 메모리 소자에 적합한 특징을 가진다.</p> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="3c631f4a1e3db13eb9079088e476dee89f61abd15e15004eaef006936edbcd66" dmcf-pid="B9o237DgYs" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img alt="ETRI 연구진이 2T0C 구조의 트랜지스터 특성을 측정하고 있다.[ETRI 제공]" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202604/14/ned/20260414085704016qyzc.jpg" data-org-width="1280" dmcf-mid="1cYkdo3GGY" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img3.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202604/14/ned/20260414085704016qyzc.jpg" width="658"></p> <figcaption class="txt_caption default_figure"> ETRI 연구진이 2T0C 구조의 트랜지스터 특성을 측정하고 있다.[ETRI 제공] </figcaption> </figure> <p contents-hash="2fc34b395dc37c239b7f94176b20e94a1a880f9d13aaec1e057c02f8840a1619" dmcf-pid="b2gV0zwaGm" dmcf-ptype="general">ETRI는 알루미늄이 첨가된 인듐-주석-아연 산화물(ITZO) 소재를 사용해 트랜지스터를 만들고, 아산화질소(N2O) 플라즈마 공정을 통해 내부 결함을 정밀하게 조절했다.</p> <p contents-hash="c069ad9c490dc79991b13843ff1ba7fe274682865488847f3b5be41c40d05b66" dmcf-pid="KVafpqrN1r" dmcf-ptype="general">이를 통해 소자 내부 결함을 줄이고 누설 전류를 효과적으로 억제하는 데 성공했다.</p> <p contents-hash="b1c1639494e5aabb5cf18db46d3b8ec34923e0c14abb734e446bb302d3dd91e4" dmcf-pid="9fN4UBmjtw" dmcf-ptype="general">연구진의 실험결과 1000초 이상 데이터를 유지할 수 있었으며, 데이터를 ‘0’과 ‘1’로 명확하게 구분할 수 있는 범위인 메모리 윈도우도 약 13배 향상됐다.</p> <p contents-hash="ea75282ab8f2703ced5a77bd5d9f9a40e0433eb0d7fe51011264b770771637fc" dmcf-pid="24j8ubsAHD" dmcf-ptype="general">이는 데이터를 더 오래, 더 정확하게 저장할 수 있다는 의미로, 2T0C DRAM에서 핵심 성능으로 꼽히는 두 지표를 동시에 개선하여 실제 메모리 응용 가능성을 높인 핵심 성과로 평가된다.</p> <p contents-hash="fb1fc107f95c94f5fda13eeeb7039042bab51715edde8f122c5807881f329f86" dmcf-pid="V8A67KOctE" dmcf-ptype="general">남수지 ETRI 플렉시블전자소자연구실 박사는 “디스플레이 분야에서 발전해 온 산화물 반도체 기술이 차세대 메모리 소자에도 적용될 수 있음을 확인했다”면서 “앞으로 3차원 반도체 집적 기술과 저전력 컴퓨팅 시스템 구현에 중요한 역할을 할 것으로 기대된다”고 밝혔다.</p> <p contents-hash="1570978714bbe985b3cfc7eb2c7a4d550e60f432be66e67a71a22e3dcd40f5cd" dmcf-pid="f6cPz9IkYk" dmcf-ptype="general">이번 연구성과는 국제학술지 ‘어드벤스드 사이언스(Advanced Science)’ 3월 3일 게재됐다.</p> </section> </div> <p class="" data-translation="true">Copyright © 헤럴드경제. 무단전재 및 재배포 금지.</p> 관련자료 이전 뤼튼, 지난해 매출 471억원…전년 대비 15배 성장 04-14 다음 트리플 타이틀전 열리는 5월 30일 굽네 ROAD FC 077, 16경기 32명 출전 확정 04-14 댓글 0 등록된 댓글이 없습니다. 로그인한 회원만 댓글 등록이 가능합니다.
