삼성전자, 차세대 'z낸드' 개발영역 넓힌다…맞춤형 AI 메모리 전략 작성일 10-12 41 목록 <div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> <strong class="summary_view" data-translation="true">z낸드-O 기술 발표 이어 z낸드-I, z낸드-T 등 제품군 구상</strong> <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> <section dmcf-sid="bzFoyZgRkX"> <p contents-hash="d54f7051373b65a06f9c73f8feaee6d87dd3b0530f2b036d8772752afc2740d3" dmcf-pid="Kq3gW5aeaH" dmcf-ptype="general">(지디넷코리아=장경윤 기자)삼성전자가 차세대 낸드플래시 제품 'z낸드' 적용처를 확장한다. <span>인공지능(AI) 인프라에서 맞춤형 메모리 탑재량이 늘어날 것으로 전망되는 만큼, 다양한 수요에 대응하기 위한 전략으로 풀이된다. </span></p> <p contents-hash="d76b16d062c4886ce3d941802a387b12d27812f13874c4e9becd04ca4a1d91df" dmcf-pid="9B0aY1NdoG" dmcf-ptype="general"><span>12일 업계에 따르면 </span><span>삼성전자는 z낸드를 </span><span>최근 공개한 'z낸드-O' 외에 'z낸드-T', 'z낸드-I'까지 </span><span>총 3종으로 세분화해서 </span><span>초기 개발 중인 것으로 </span><span>파악됐다. 삼성전자는 </span><span>지난 8월</span><span> 미국 메모리 관련 행사에서 z낸드-O 목업을 처음 공개한 바 있다.</span></p> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="87d9320371c8f7bae83e4c940c1cdd6a87968a448efa005949eee88214b241a4" dmcf-pid="2bpNGtjJoY" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img alt="삼성전자가 지난 8월 FMS 2026에 전시한 z낸드-O 목업(사진=삼성전자)" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202610/12/ZDNetKorea/20261012104759955bykl.jpg" data-org-width="639" dmcf-mid="BLgtxiFYaZ" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img2.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202610/12/ZDNetKorea/20261012104759955bykl.jpg" width="658"></p> <figcaption class="txt_caption default_figure"> 삼성전자가 지난 8월 FMS 2026에 전시한 z낸드-O 목업(사진=삼성전자) </figcaption> </figure> <p contents-hash="97a35576de89f9e5d11471e6e80fc1c7f4870e7fc66a9aadecc6d6fea74237dc" dmcf-pid="VKUjHFAiaW" dmcf-ptype="general"><span>z낸드-O는 온디바이스(On-device) AI용으로 설계한 제품이다. 와이어본딩으로 칩 외곽으로 데이터를 전송하는 기존 방식과 달리, 실리콘관통전극(TSV)으로 낸드를 4단 또는 8단으로 적층한다. 데이터 전송경로가 단축돼 </span><span>속도와 </span><span>전력효율을 </span><span>높일 수 있다.</span></p> <p contents-hash="5b0fc599057ce385ecc8a941eff0214dd61141c486798238e0931ea6e2d414b7" dmcf-pid="f9uAX3cnky" dmcf-ptype="general">삼성전자가 <span>공식 발표하지는 않았으나, 내부에서 </span><span>z낸드-T와 </span><span>z낸드-I를 개발 중인 것으로 알려졌다. </span></p> <p contents-hash="be8928a245af3af62b657b59813226a2d745a2ab6549fc138b0dbcdde5421f84" dmcf-pid="4Vzk5pEocT" dmcf-ptype="general"><span>z낸드-T는 스루풋(Throughput; 처리량)에 특화했다. 고용량</span>·<span>고성능 AI 데이터센터에 대응하기 위해, 반도체의 데이터 처리량을 나타내는 대역폭을 극대화한 것이 특징이다. z낸드-O와 유사하게 낸드를 수직 적층해 TSV로 연결해 </span><span>만든다. </span><span>업계에서는 고대역폭플래시(HBF)로 </span><span>불린다.</span></p> <p contents-hash="4ac1eb507f10d3f9dfe3adedab612b529f3eebb4b1b9a556f6d42d8fd6a6e0ba" dmcf-pid="8fqE1UDgjv" dmcf-ptype="general">z낸드-I는 IOPS(1초당 처리할 수 있는 입출력 횟수)를 극대화한다. 대역폭이 넓으면 한 번에 많은 데이터를 처리할 수 있는 반면, IOPS가 높으면 초당 완료하는 데이터 입출력 작업 수가 많아진다. KV(키-값) 캐시 등 저용량 임시 데이터를 빈번하게 처리해야 하는 AI 추론 영역에서 높은 IOPS 낸드가 각광받는 이유다.</p> <p contents-hash="5a52982b68cee98c71bb10d54ab5c8e4a50b8464fd0eae21869b1d8bb97c657b" dmcf-pid="64BDtuwacS" dmcf-ptype="general">삼성전자가 차세대 낸드 제품을 세분화하는 가장 큰 이유는 AI에 있다. 글로벌 빅테크들이 AI 데이터 처리 효율성을 극대화하는 각종 아키텍처를 개발하면서, 다양한 수요에 맞게 최적화한 낸드 수요도 늘고 있다. </p> <p contents-hash="00a1365aaeab27a3491d4b4fa945f5c0d25623597f6d78256d8126e5c77dda56" dmcf-pid="P8bwF7rNgl" dmcf-ptype="general"><span>SK하이닉스도 차세대 AI 낸드를 맞춤형 제품으로 개발 중이다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 하반기 AIN P(퍼포먼스)·AIN D(집적도)·AIN B(대역폭) 등 3가지의 'AIN(에이아이엔, AI-NAND) 패밀리' 라인업을 구축한 바 있다.</span></p> <p contents-hash="b0f16269397164296b589c9cee3ffbac944414c1f104440cc521763fa73601b5" dmcf-pid="Q6Kr3zmjkh" dmcf-ptype="general">AIN P는 최대 1억 IOPS급 제품을 개발하고 있다. AIN D는 SSD 저장용량에 초점을 맞춰, 최대 페타바이트(PB)급이 목표다. AIN B는 HBF와 사실상 동일한 개념으로, 대역폭 확장에 중점을 두고 있다. </p> <p contents-hash="fd0be6fdb4a3798e76ae536c7bc54658e68ee8e92d20da6ddbae86b2ef051c1a" dmcf-pid="xP9m0qsAcC" dmcf-ptype="general">장경윤 기자(jkyoon@zdnet.co.kr)</p> </section> </div> <p class="" data-translation="true">Copyright © 지디넷코리아. 무단전재 및 재배포 금지.</p> 관련자료 이전 [IT과학칼럼] 기후위기 시대, 도시 환경·에너지 인프라 다시 설계할 때 10-12 다음 "장애물 밀쳐내며 달리는 로봇"… KAIST가 풀어놓은 '미래 기술'은? 10-12 댓글 0 등록된 댓글이 없습니다. 로그인한 회원만 댓글 등록이 가능합니다.