"AI 서버 발열·손실 줄인다"…인피니언, 엔비디아와 800V 전력 맞손 작성일 10-22 49 목록 <div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> <section dmcf-sid="8sf2xNpXvl"> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="0ae51ee69ababdf18bfa8781871fa8acb8c17979f515ccd82802ffac3670b62e" dmcf-pid="6O4VMjUZvh" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202610/22/552796-pzfp7fF/20261022103251803zknq.jpg" data-org-width="640" dmcf-mid="47wECZnQSS" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img1.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202610/22/552796-pzfp7fF/20261022103251803zknq.jpg" width="658"></p> </figure> <p contents-hash="29240e8b859f2023368b0fc588014223afa8d7443846fa682b05f5285cf75aef" dmcf-pid="PI8fRAu5vC" dmcf-ptype="general">[디지털데일리 김문기기자] 인피니언 테크놀로지스가 엔비디아와 손잡고 인공지능(AI) 데이터센터의 전력 밀도를 높이고 손실을 줄이기 위한 800V 직류 기반 질화갈륨(GaN) 전력 변환 기술 개발에 착수했다.</p> <p contents-hash="2434b779218450207470f52fd5da3ec81143b428de4abbb993b3978be4816826" dmcf-pid="Qw9b6oFYyI" dmcf-ptype="general">22일 인피니언 테크놀로지스는 AI 데이터센터용 800V 직류(VDC) 전력 아키텍처 분야에서 엔비디아와의 협력을 확대한다고 밝혔다. 이번 협력은 2025년 발표한 양사 파트너십의 연장선으로, 데이터센터 전력 공급 체인의 중간 버스 변환기인 고전압 IBC(Intermediate Bus Converter) 단계를 고도화하는 데 초점을 맞췄다. 양사는 유지보수와 핫스왑을 지원하는 800VDC 서버 랙 아키텍처를 구현할 방침이다.</p> <p contents-hash="8bd3711dc369abf9fabf5568ba8d287bcc660d316f10ca4e10c118108e1d0597" dmcf-pid="xr2KPg3GCO" dmcf-ptype="general">요흔 하나벡(Jochen Hanebeck) 인피니언 CEO는 "AI는 전력 인프라에 대한 요구를 근본적으로 변화시키고 있으며, 이러한 과제를 해결하는 데 반도체가 핵심적인 역할을 한다. 엔비디아와의 800V 전력 아키텍처 협력은 인피니언의 축적된 반도체 전문성과 AI 시대에 요구되는 빠른 혁신이 결합할 때 무엇이 가능한지를 보여준다. GaN 기반 시스템 솔루션은 차세대 데이터센터를 구현하는 핵심 기술이며, 인피니언은 그리드에서 코어까지 AI 시대에 필요한 전력을 공급하는 데 기여하고 있다"고 말했다.</p> <p contents-hash="2096d7a96c03b22521bbcbb396cbaf1827c722bc903b408b99d5dbd2d34c2625" dmcf-pid="ybOmvFaeSs" dmcf-ptype="general">데이터센터는 AI 워크로드의 전력 수요에 대응하기 위해 IBC를 적용하고 있다. IBC는 가속기 카드에 유입되는 메인 버스 전압을 강압해 프로세서 코어와 부하점(PoL)에 정밀한 전압을 공급하는 다단계 구조를 형성한다. 인프라 전력 밀도가 높아짐에 따라 800VDC는 기존 교류(AC) 및 저전압 직류를 대체하는 전력 분배 방식으로 채택되는 추세다.</p> <p contents-hash="8bf4c4a685ce853851199ba65bd44ef0cc4fb42b1720bcf57974d0523906ace2" dmcf-pid="WKIsT3Ndym" dmcf-ptype="general">인피니언의 질화갈륨(GaN) 기술은 실리콘 대비 스위칭 속도가 빠르고 손실이 적어 IBC 단계에서 최대 1MHz 주파수를 지원한다. 수동소자와 자기 소자 부피를 줄여 전력 밀도를 확보하고 보드 두께를 낮출 수 있다. 높은 변환 효율을 바탕으로 랙당 전력이 메가와트(MW)급으로 늘어나는 환경에서 발열을 억제한다는 설명이다.</p> <p contents-hash="261e31ae5c4fc510438b0fc65f9f1f4afdf10be64a93765480068ceb850042b4" dmcf-pid="Y9COy0jJTr" dmcf-ptype="general">기술 포트폴리오는 GaN 전력 반도체와 '피속(PSoC) 컨트롤 C3', '아이스드라이버(EiceDRIVER)' 라인업을 결합한 통합 시스템 형태로 구성된다. 800V 전압을 50V, 12V, 6V로 변환하는 규격을 지원해 운영자가 전력 밀도와 효율에 맞춰 랙 설계를 최적화하도록 돕는다. 회사는 전원공급장치부터 프로세서 부하점에 이르는 전력 공급 체인 전반에 제품군을 공급할 계획이다.</p> </section> </div> <p class="" data-translation="true">Copyright © 디지털데일리. All rights reserved. 무단 전재 및 재배포 금지.</p> 관련자료 이전 “내 스마트폰 화면이 오래 갈 상인가”…OLED 수명 예측 기술 개발 10-22 다음 “AI가 바꾸는 미래 과학관”…세계 7개국 전문가, 대전 총집결 10-22 댓글 0 등록된 댓글이 없습니다. 로그인한 회원만 댓글 등록이 가능합니다.
