美 마이크론도 GPU 위 HBM 쌓는다… 삼전닉스 AI 칩 전쟁 작성일 10-22 48 목록 <div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> <section dmcf-sid="UVr8bdXS1t"> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="0fc3aa753a3d87a7d98a5ba8c1b6a293b7ab516a642c7148164fa0d30081367c" dmcf-pid="ufm6KJZvX1" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img alt="마이크론 로고/AP 연합뉴스" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202610/22/chosun/20261022140147736kyyj.jpg" data-org-width="4500" dmcf-mid="pmsP9i5TZF" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img2.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202610/22/chosun/20261022140147736kyyj.jpg" width="658"></p> <figcaption class="txt_caption default_figure"> 마이크론 로고/AP 연합뉴스 </figcaption> </figure> <p contents-hash="0aa211cb3444369a4c8aef663ca26a6f746919550962d412b37fb2740632b7b1" dmcf-pid="7Hx5yukLX5" dmcf-ptype="general">미국 메모리 반도체 기업 마이크론이 그래픽처리장치(GPU) 위에 고대역폭 메모리(HBM)를 수직으로 쌓는 차세대 반도체 구조 개발 계획을 공개했다. 삼성전자가 유사한 적층 구조의 ‘zHBM’을 선보이고 SK하이닉스도 3차원 반도체 패키징 기술을 개발하는 가운데, 적층 구조의 차세대 AI 메모리 경쟁이 본격화하는 것이다. 한편 마이크론은 중국 창신메모리(CXMT)가 개발 중인 차세대 ‘4F² D램’ 기술에 대해서는 “20년간 연구했지만 제조 비용과 기술적 한계로 상용화를 추진하지 않았다”고 밝혔다.</p> <p contents-hash="ba4b1c0b8d0e83af76e2d5d3ad321be4af370ec13f97b219e9c372ff5e378427" dmcf-pid="zXM1W7EoZZ" dmcf-ptype="general">마이크론은 21일(현지 시각) 열린 기술 웨비나에서 이 같은 차세대 메모리 개발 계획을 공개했다. 핵심은 GPU 바로 위에 HBM을 쌓는 ‘수직형 HBM(vHBM)’이다. 현재 AI 반도체는 GPU 옆에 HBM을 배치하는 방식이 일반적이지만, 앞으로는 이를 수직으로 쌓아 데이터 이동 거리를 줄이고 전송 속도를 높이겠다는 것이다. 이를 위해 반도체를 정밀하게 결합하는 ‘하이브리드 본딩’ 기술도 개발하고 있다.</p> <p contents-hash="ba86bfbb44b56ba1f8fe0bef8b5e4d34652a1c212c8e9c74732744f391b120a8" dmcf-pid="qZRtYzDgHX" dmcf-ptype="general">삼성전자와 SK하이닉스도 차세대 적층 기술 개발에 나서고 있다. 삼성전자는 지난 8월 FMS 2026에서 유사한 구조의 ‘zHBM’ 모형을 공개했고, SK하이닉스도 3차원 패키징 기술을 연구 중이다. AI 반도체에서 GPU의 연산 능력뿐 아니라 메모리와 데이터를 주고받는 속도가 중요해지면서 차세대 HBM의 구조를 둘러싼 경쟁이 치열해지는 모습이다.</p> <p contents-hash="e3265654257ccd54dd09d752f08af107fdda3aad43a8ae4a9309790d03c88e62" dmcf-pid="B5eFGqwa5H" dmcf-ptype="general">마이크론은 중국 창신메모리가 추진하는 ‘4F² D램’ 기술에는 회의적인 입장을 보였다. 4F²는 메모리 셀 면적을 줄여 집적도를 높이는 기술이다. 창신메모리는 최근 이 기술 개발에 진전을 이뤘다며 올해 말까지 4F² 구조를 적용한 서버용 DDR5 메모리 제품을 선보이겠다고 발표한 바 있다. 이 때문에 한국 반도체 업계에서도 중국이 기존의 미세 공정 기술 격차를 새로운 메모리 구조를 통해 좁힐 수 있다는 우려가 제기되기도 했었다. 스콧 드보어 마이크론 최고기술·제품책임자는 “4F² D램이 실질적 이점을 제공한다는 것은 일종의 신화“라며 “지난 20년간 이 기술을 연구하고 시제품도 만들었지만, 제조 과정이 복잡하고 비용이 많이 들어 상용화를 추진하지 않았다”고 했다.</p> <p contents-hash="defcab3f852e1598dec9fc80cd6fcc1705ac079a81708e3f3517ca8cb80dd6fc" dmcf-pid="b1d3HBrN5G" dmcf-ptype="general">마이크론은 400개 이상의 반도체 층을 쌓는 11세대 낸드플래시를 2027년 하반기 양산하겠다는 계획도 밝혔다. 기존 9세대 제품보다 같은 면적에 저장할 수 있는 데이터 양은 두 배, 데이터 입출력 속도는 1.5배로 높이는 것이 목표다. HBM4 이후에는 HBM4E와 고객 맞춤형 HBM 개발도 추진할 계획이다.</p> </section> </div> <p class="" data-translation="true">Copyright © 조선일보. 무단전재 및 재배포 금지.</p> 관련자료 이전 "같은 예산도 결과는 천지차이"…지방정부 AX 성패, 기술 아닌 '설계'가 가른다 10-22 다음 PSK, 램리서치 상대 베벨 에처 특허침해소송 승소 10-22 댓글 0 등록된 댓글이 없습니다. 로그인한 회원만 댓글 등록이 가능합니다.
