'1나노 반도체를 향해'...삼성, 하이 NA EUV 도입 작성일 10-29 319 목록 <div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> <section dmcf-sid="qaxJlMSg8R"> <figure class="figure_frm origin_fig" dmcf-pid="BJfQm4sd8M" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img alt="ASML 하이 뉴매리컬애퍼처(NA) 극자외선(EUV) 노광장비" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202410/29/etimesi/20241029150407342cvnz.png" data-org-width="700" dmcf-mid="7deSBIbY6d" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img2.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202410/29/etimesi/20241029150407342cvnz.png" width="658"></p> <figcaption class="txt_caption default_figure"> ASML 하이 뉴매리컬애퍼처(NA) 극자외선(EUV) 노광장비 </figcaption> </figure> <p dmcf-pid="bJfQm4sdQx" dmcf-ptype="general">삼성전자가 차세대 반도체 노광장비인 '하이 뉴매리컬애퍼처(NA) 극자외선(EUV)'를 내년 초 도입한다. 하이 NA EUV는 2나노미터(㎚) 이하 초미세 회로를 구현하는데 필수 장비로, 네덜란드 ASML이 전 세계 유일 공급하고 있다. 삼성이 1㎚대 반도체 상용화를 위한 연구개발에 본격 착수하는 것으로 예상된다.</p> <p dmcf-pid="KTwIur7v6Q" dmcf-ptype="general">29일 취재를 종합하면 삼성전자는 ASML로부터 하이 NA EUV 장비를 공급 받기로 했다. 시점은 내년 초로, 삼성은 업계 최초의 하이 NA EUV 장비인 'EXE:5000'을 들일 계획이다. 반도체 장비는 통상 설치와 테스트에 상당 시간이 걸리는 점을 감안하면 장비 가동은 이르면 내년 중반부터 이뤄질 것으로 예상된다.</p> <p dmcf-pid="9IjDtAFOQP" dmcf-ptype="general">하이 NA EUV는 현재 미세 공정에 활용되는 EUV 장비보다도 더 미세하게 반도체 회로를 그릴 수 있는 것이 특징이다. CPU나 GPU와 같은 시스템 반도체의 경우 기존 EUV 장비가 5㎚ 이하 회로 구현에 쓰였다면 하이 NA EUV는 2㎚ 이하다. 더 미세한 회로를 만들 수 있기 때문에 반도체 집적도, 즉 성능을 끌어 올릴 수 있다.</p> <p dmcf-pid="2hcr3k0C46" dmcf-ptype="general">뿐만 아니라 빛을 조사하는 노광 횟수도 줄일 수 있어 반도체 생산 비용을 줄일 수 있다. 실제로 세계 최대 반도체 연구소인 벨기에 아이멕(IMEC)은 최근 ASML과의 연구에서 하이 NA EUV 장비 노광 한 번으로 로직과 메모리 반도체 초미세 회로 구현에 성공했다고 밝혔다.</p> <p dmcf-pid="VkJgWiYcQ8" dmcf-ptype="general">삼성전자가 하이 NA EUV 장비를 들이는 건 처음이다. 삼성전자는 그동안 IMEC과 협력하며 하이 NA EUV 장비를 통한 초미세 회로 공정 연구를 진행해왔다. 다만 IMEC은 전 세계 반도체 업계와 학계가 공동으로 만든 연구소 같은 곳이어서 장비를 활용하는 데 한계가 있다.</p> <p dmcf-pid="fPq2ABc6P4" dmcf-ptype="general">삼성이 내년 하이 NA EUV 장비를 들이면 자체적으로 장비를 갖추기 때문에 초미세 공정 연구개발에 한층 속도를 낼 수 있다. 삼성은 2027년 1.4㎚ 공정 상용화를 목표로 밝힌 바 있는데, 이 하이 NA EUV 장비를 통해 1㎚대 공정 진입을 시도할 전망이다.</p> <p dmcf-pid="4uHtxXMU4f" dmcf-ptype="general">전 세계 반도체 업계에서는 이 초미세 공정을 놓고 삼성전자, TSMC, 인텔이 겨루고 있다. 인텔은 2023년 12월 ASML의 하이 NA EUV 장비를 가장 먼저 받았다. 이후 올해 9월에는 TSMC가 도입했으며, 삼성전자는 세 번째다. 시점은 다소 늦지만 반도체는 누가 얼마나 안정적으로 생산할 수 있느냐의 싸움이기 때문에 최종 양산이 주목된다.</p> <p dmcf-pid="8e26wVrR6V" dmcf-ptype="general">삼성전자는 내년 초 도입하는 하이 NA EUV 장비는 주로 연구용으로 활용하고, 별도의 양산 장비도 들일 것으로 알려졌다.<br></p> <figure class="figure_frm origin_fig" dmcf-pid="66z9jqA8Q2" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img alt="삼성 파운드리 공정 로드맵 - 삼성 파운드리 공정 로드맵(출처:삼성 파운드리 포럼 2024)" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202410/29/etimesi/20241029150408603nvtj.png" data-org-width="700" dmcf-mid="zUiaYnGk8e" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img4.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202410/29/etimesi/20241029150408603nvtj.png" width="658"></p> <figcaption class="txt_caption default_figure"> 삼성 파운드리 공정 로드맵 - 삼성 파운드리 공정 로드맵(출처:삼성 파운드리 포럼 2024) </figcaption> </figure> <p dmcf-pid="PoPeCQhLx9" dmcf-ptype="general">박진형 기자 jin@etnews.com</p> </section> </div> <p class="" data-translation="true">Copyright © 전자신문. 무단전재 및 재배포 금지.</p> 관련자료 이전 '6G 기대감' 통신장비 제조사들…"네이티브 AI·트래픽 솔루션 필요" 10-29 다음 ‘얼티밋 배틀’ 대회 확대… 브레이킹 투자 아끼지 않는 CJ 10-29 댓글 0 등록된 댓글이 없습니다. 로그인한 회원만 댓글 등록이 가능합니다.
